货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.575343 | ¥5.58 |
10 | ¥4.802398 | ¥48.02 |
100 | ¥3.583426 | ¥358.34 |
500 | ¥2.815549 | ¥1407.77 |
1000 | ¥2.17565 | ¥2175.65 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2366DS-T1-GE3
型号:SI2366DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.575343 |
10+: | ¥4.802398 |
100+: | ¥3.583426 |
500+: | ¥2.815549 |
1000+: | ¥2.17565 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.58