货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.153726 | ¥25.15 |
10 | ¥22.572848 | ¥225.73 |
100 | ¥18.494538 | ¥1849.45 |
500 | ¥15.744268 | ¥7872.13 |
1000 | ¥13.831601 | ¥13831.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP3415PBF SP001566972
单位重量 6 g
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0IRFP3415PBF
型号:IRFP3415PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.153726 |
10+: | ¥22.572848 |
100+: | ¥18.494538 |
500+: | ¥15.744268 |
1000+: | ¥13.831601 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥25.15