货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥11.131261 | ¥8905.01 |
1600 | ¥9.223062 | ¥14756.90 |
2400 | ¥8.586996 | ¥20608.79 |
5600 | ¥8.268929 | ¥46306.00 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FDB52N20TM
型号:FDB52N20TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥11.131261 |
1600+: | ¥9.223062 |
2400+: | ¥8.586996 |
5600+: | ¥8.268929 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00