货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.182884 | ¥3548.65 |
6000 | ¥1.122758 | ¥6736.55 |
9000 | ¥1.042566 | ¥9383.09 |
30000 | ¥1.018472 | ¥30554.16 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 915 mA
漏源电阻 127 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.82 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.6 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0NVE4153NT1G
型号:NVE4153NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.182884 |
6000+: | ¥1.122758 |
9000+: | ¥1.042566 |
30000+: | ¥1.018472 |
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