货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥47.908273 | ¥47.91 |
10 | ¥43.053093 | ¥430.53 |
100 | ¥35.276936 | ¥3527.69 |
500 | ¥30.030621 | ¥15015.31 |
1000 | ¥27.136105 | ¥27136.10 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 61 ns
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SIHB35N60E-GE3
型号:SIHB35N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥47.908273 |
10+: | ¥43.053093 |
100+: | ¥35.276936 |
500+: | ¥30.030621 |
1000+: | ¥27.136105 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥47.91