货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.588468 | ¥11.59 |
10 | ¥9.482608 | ¥94.83 |
100 | ¥7.374253 | ¥737.43 |
500 | ¥6.250049 | ¥3125.02 |
1000 | ¥5.091451 | ¥5091.45 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 10.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.3 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41.800 mg
购物车
0CSD16409Q3
型号:CSD16409Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.588468 |
10+: | ¥9.482608 |
100+: | ¥7.374253 |
500+: | ¥6.250049 |
1000+: | ¥5.091451 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.59