2SD1766T100P

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 32 V

集电极—基极电压 40 V

发射极 - 基极电压 5 V

最大直流电集电极电流 2 A

耗散功率 2000 mW

增益带宽产品 100 MHz

集电极连续电流 2 A

直流集电极 82

直流电流增益（Max） 82 at 500 mA, 3 V

技术 Si

高度 1.5 mm

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 130.500 mg