
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.668142 | ¥11.67 |
| 10 | ¥7.197881 | ¥71.98 |
| 100 | ¥4.638467 | ¥463.85 |
| 500 | ¥3.535902 | ¥1767.95 |
| 1000 | ¥3.180555 | ¥3180.55 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 915 mA
漏源电阻 127 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.82 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.6 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0NVE4153NT1G
型号:NVE4153NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.668142 |
| 10+: | ¥7.197881 |
| 100+: | ¥4.638467 |
| 500+: | ¥3.535902 |
| 1000+: | ¥3.180555 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.67