
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.594585 | ¥18.59 |
| 10 | ¥16.572253 | ¥165.72 |
| 100 | ¥12.923914 | ¥1292.39 |
| 500 | ¥10.676277 | ¥5338.14 |
| 1000 | ¥8.42864 | ¥8428.64 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 8.6 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 56 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 68 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4466DY-T1-E3-S
单位重量 187 mg
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0SI4116DY-T1-GE3
型号:SI4116DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.594585 |
| 10+: | ¥16.572253 |
| 100+: | ¥12.923914 |
| 500+: | ¥10.676277 |
| 1000+: | ¥8.42864 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.59