
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.429119 | ¥5.43 |
| 10 | ¥3.757522 | ¥37.58 |
| 100 | ¥1.834471 | ¥183.45 |
| 500 | ¥1.530441 | ¥765.22 |
| 1000 | ¥1.063394 | ¥1063.39 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN53D0LQ-7
型号:DMN53D0LQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.429119 |
| 10+: | ¥3.757522 |
| 100+: | ¥1.834471 |
| 500+: | ¥1.530441 |
| 1000+: | ¥1.063394 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.43