货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥2.885754 | ¥2885.75 |
2000 | ¥2.615175 | ¥5230.35 |
5000 | ¥2.43486 | ¥12174.30 |
10000 | ¥2.344667 | ¥23446.67 |
25000 | ¥2.284562 | ¥57114.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 4.4 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 60 mS
上升时间 14.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP125 H6327 SP001058576
单位重量 112 mg
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0BSP125H6327XTSA1
型号:BSP125H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥2.885754 |
2000+: | ¥2.615175 |
5000+: | ¥2.43486 |
10000+: | ¥2.344667 |
25000+: | ¥2.284562 |
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