
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥2.050456 | ¥2050.46 |
| 2000 | ¥1.826225 | ¥3652.45 |
| 5000 | ¥1.730117 | ¥8650.58 |
| 10000 | ¥1.601934 | ¥16019.34 |
| 25000 | ¥1.586073 | ¥39651.83 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 4.4 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 60 mS
上升时间 14.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP125 H6327 SP001058576
单位重量 112 mg
购物车
0BSP125H6327XTSA1
型号:BSP125H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥2.050456 |
| 2000+: | ¥1.826225 |
| 5000+: | ¥1.730117 |
| 10000+: | ¥1.601934 |
| 25000+: | ¥1.586073 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00