
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.846116 | ¥40.85 |
| 10 | ¥26.343451 | ¥263.43 |
| 100 | ¥18.111506 | ¥1811.15 |
| 500 | ¥14.59109 | ¥7295.55 |
| 1000 | ¥13.459943 | ¥13459.94 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD06N80C3 SP001117772
单位重量 330 mg
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0SPD06N80C3ATMA1
型号:SPD06N80C3ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.846116 |
| 10+: | ¥26.343451 |
| 100+: | ¥18.111506 |
| 500+: | ¥14.59109 |
| 1000+: | ¥13.459943 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.85