货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.559171 | ¥30.56 |
10 | ¥27.467302 | ¥274.67 |
100 | ¥22.501617 | ¥2250.16 |
500 | ¥19.155496 | ¥9577.75 |
1000 | ¥16.155233 | ¥16155.23 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 263 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 132 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP045N10A_F102
单位重量 2 g
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0FDP045N10A-F102
型号:FDP045N10A-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.559171 |
10+: | ¥27.467302 |
100+: | ¥22.501617 |
500+: | ¥19.155496 |
1000+: | ¥16.155233 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.56