货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.332508 | ¥5.33 |
10 | ¥4.425544 | ¥44.26 |
30 | ¥3.966599 | ¥119.00 |
100 | ¥3.518581 | ¥351.86 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 15.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 47 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 250 mg
购物车
0CSD19534Q5A
型号:CSD19534Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.332508 |
10+: | ¥4.425544 |
30+: | ¥3.966599 |
100+: | ¥3.518581 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.33