货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥77.842949 | ¥77.84 |
10 | ¥70.31813 | ¥703.18 |
25 | ¥67.048727 | ¥1676.22 |
100 | ¥55.600871 | ¥5560.09 |
250 | ¥52.330231 | ¥13082.56 |
500 | ¥49.059592 | ¥24529.80 |
1000 | ¥44.153633 | ¥44153.63 |
2500 | ¥42.518314 | ¥106295.78 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 58 ns
典型关闭延迟时间 116 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHP38N60E-GE3
型号:SIHP38N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥77.842949 |
10+: | ¥70.31813 |
25+: | ¥67.048727 |
100+: | ¥55.600871 |
250+: | ¥52.330231 |
500+: | ¥49.059592 |
1000+: | ¥44.153633 |
2500+: | ¥42.518314 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥77.84