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SIHP38N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHP38N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
渠道:
digikey

库存 :626

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 77.842949 77.84
10 70.31813 703.18
25 67.048727 1676.22
100 55.600871 5560.09
250 52.330231 13082.56
500 49.059592 24529.80
1000 44.153633 44153.63
2500 42.518314 106295.78

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 43 A

漏源电阻 56 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 122 nC

耗散功率 313 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 50 ns

上升时间 58 ns

典型关闭延迟时间 116 ns

典型接通延迟时间 33 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHP38N60E-GE3

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型号:SIHP38N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:626 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥77.842949
10+: ¥70.31813
25+: ¥67.048727
100+: ¥55.600871
250+: ¥52.330231
500+: ¥49.059592
1000+: ¥44.153633
2500+: ¥42.518314

货期:7-10天

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