
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.750402 | ¥12.75 |
| 10 | ¥11.39036 | ¥113.90 |
| 25 | ¥10.812341 | ¥270.31 |
| 100 | ¥8.110672 | ¥811.07 |
| 250 | ¥8.032753 | ¥2008.19 |
| 500 | ¥6.874168 | ¥3437.08 |
| 1000 | ¥5.599836 | ¥5599.84 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R2K8CE SP001130970
单位重量 330 mg
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0IPD80R2K8CEATMA1
型号:IPD80R2K8CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.750402 |
| 10+: | ¥11.39036 |
| 25+: | ¥10.812341 |
| 100+: | ¥8.110672 |
| 250+: | ¥8.032753 |
| 500+: | ¥6.874168 |
| 1000+: | ¥5.599836 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.75