货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.120422 | ¥11.12 |
10 | ¥9.934243 | ¥99.34 |
25 | ¥9.430117 | ¥235.75 |
100 | ¥7.073824 | ¥707.38 |
250 | ¥7.005865 | ¥1751.47 |
500 | ¥5.995391 | ¥2997.70 |
1000 | ¥4.883966 | ¥4883.97 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R2K8CE SP001130970
单位重量 330 mg
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0IPD80R2K8CEATMA1
型号:IPD80R2K8CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.120422 |
10+: | ¥9.934243 |
25+: | ¥9.430117 |
100+: | ¥7.073824 |
250+: | ¥7.005865 |
500+: | ¥5.995391 |
1000+: | ¥4.883966 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.12