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IPD80R2K8CEATMA1

INFINEON(英飞凌)
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请参阅产品规格
制造商编号:
IPD80R2K8CEATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
渠道:
digikey

库存 :9460

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.120422 11.12
10 9.934243 99.34
25 9.430117 235.75
100 7.073824 707.38
250 7.005865 1751.47
500 5.995391 2997.70
1000 4.883966 4883.97

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 800 V

漏极电流 1.9 A

漏源电阻 2.8 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 12 nC

耗散功率 42 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 18 ns

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 72 ns

典型接通延迟时间 25 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD80R2K8CE SP001130970

单位重量 330 mg

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IPD80R2K8CEATMA1

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型号:IPD80R2K8CEATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:9460 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥11.120422
10+: ¥9.934243
25+: ¥9.430117
100+: ¥7.073824
250+: ¥7.005865
500+: ¥5.995391
1000+: ¥4.883966

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