货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥45.678758 | ¥45.68 |
10 | ¥41.251329 | ¥412.51 |
100 | ¥34.154737 | ¥3415.47 |
500 | ¥29.741219 | ¥14870.61 |
1000 | ¥25.903669 | ¥25903.67 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 125 nC
耗散功率 341 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4137PBF SP001571068
单位重量 6 g
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0IRFP4137PBF
型号:IRFP4137PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.678758 |
10+: | ¥41.251329 |
100+: | ¥34.154737 |
500+: | ¥29.741219 |
1000+: | ¥25.903669 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.68