货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥49.096035 | ¥49.10 |
10 | ¥44.123127 | ¥441.23 |
100 | ¥36.149593 | ¥3614.96 |
500 | ¥30.773648 | ¥15386.82 |
1000 | ¥27.807487 | ¥27807.49 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 61 ns
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG35N60E-GE3
型号:SIHG35N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.096035 |
10+: | ¥44.123127 |
100+: | ¥36.149593 |
500+: | ¥30.773648 |
1000+: | ¥27.807487 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥49.10