货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.364394 | ¥3.36 |
10 | ¥2.317694 | ¥23.18 |
100 | ¥1.128942 | ¥112.89 |
500 | ¥0.941533 | ¥470.77 |
1000 | ¥0.654188 | ¥654.19 |
2000 | ¥0.567089 | ¥1134.18 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.5 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 180 ms
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUM001L02
单位重量 1.500 mg
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0RUM001L02T2CL
型号:RUM001L02T2CL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.364394 |
10+: | ¥2.317694 |
100+: | ¥1.128942 |
500+: | ¥0.941533 |
1000+: | ¥0.654188 |
2000+: | ¥0.567089 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.36