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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 940 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36.8 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 15.4 ns
典型关闭延迟时间 45.6 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMP3017SFGQ-7
型号:DMP3017SFGQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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