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CSD25404Q3T

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD25404Q3T
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 6.008998 1502.25

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

产品 Power MOSFETs

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 104 A

漏源电阻 6.5 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 650 mV

栅极电荷 10.8 nC

耗散功率 96 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13 ns

正向跨导(Min) 47 S

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 13 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 P-Channel MOSFET

单位重量 44.500 mg

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型号:CSD25404Q3T

品牌:TI

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