SIHG33N65E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG33N65E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：843
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥80.684834 | ￥80.68 |
| 10 | ￥72.90054 | ￥729.01 |
| 25 | ￥69.505104 | ￥1737.63 |
| 100 | ￥57.63838 | ￥5763.84 |
| 250 | ￥54.247886 | ￥13561.97 |
| 500 | ￥50.857393 | ￥25428.70 |
| 1000 | ￥45.771654 | ￥45771.65 |
| 2500 | ￥44.076408 | ￥110191.02 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.6 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 114 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 71 ns
上升时间 56 ns
典型关闭延迟时间 105 ns
典型接通延迟时间 32 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG33N65E-GE3 同类别型号
注
SIHG33N65E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHG33N65E-GE3
数据手册PDF。
SIHG33N65E-GE3
型号：SIHG33N65E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：843 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥80.684834 |
| 10+： | ￥72.90054 |
| 25+： | ￥69.505104 |
| 100+： | ￥57.63838 |
| 250+： | ￥54.247886 |
| 500+： | ￥50.857393 |
| 1000+： | ￥45.771654 |
| 2500+： | ￥44.076408 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥80.68