CSD16323Q3
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- 制造商编号：
- CSD16323Q3
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 渠道：
- digikey
库存 ：34394
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.873585 | ￥13.87 |
| 10 | ￥11.396159 | ￥113.96 |
| 100 | ￥8.86547 | ￥886.55 |
| 500 | ￥7.514528 | ￥3757.26 |
| 1000 | ￥6.121472 | ￥6121.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 43.700 mg
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注
CSD16323Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD16323Q3
数据手册PDF
。
CSD16323Q3
型号：CSD16323Q3
品牌：TI
供货：锐单
库存：34394 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.873585 |
| 10+： | ￥11.396159 |
| 100+： | ￥8.86547 |
| 500+： | ￥7.514528 |
| 1000+： | ￥6.121472 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.87