货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.104802 | ¥12314.41 |
6000 | ¥3.899562 | ¥23397.37 |
15000 | ¥3.836263 | ¥57543.94 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIRA52DP-T1-GE3
型号:SIRA52DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.104802 |
6000+: | ¥3.899562 |
15000+: | ¥3.836263 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00