
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.552353 | ¥54.55 |
| 10 | ¥35.610564 | ¥356.11 |
| 100 | ¥24.869812 | ¥2486.98 |
| 500 | ¥21.738508 | ¥10869.25 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD320N20N3 G SP001127832
单位重量 330 mg
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0IPD320N20N3GATMA1
型号:IPD320N20N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.552353 |
| 10+: | ¥35.610564 |
| 100+: | ¥24.869812 |
| 500+: | ¥21.738508 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥54.55