MBT3904DW1T3G
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.059634 | ￥3.06 |
| 10 | ￥2.126446 | ￥21.26 |
| 100 | ￥1.040276 | ￥104.03 |
| 500 | ￥0.867713 | ￥433.86 |
| 1000 | ￥0.602901 | ￥602.90 |
| 2000 | ￥0.522433 | ￥1044.87 |
| 5000 | ￥0.484647 | ￥2423.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 40 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 300 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流集电极 40
技术 Si
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 MBT3904DW1T1G
单位重量 28 mg
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注
MBT3904DW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
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数据手册PDF。
MBT3904DW1T3G
型号：MBT3904DW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：44215 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.059634 |
| 10+： | ￥2.126446 |
| 100+： | ￥1.040276 |
| 500+： | ￥0.867713 |
| 1000+： | ￥0.602901 |
| 2000+： | ￥0.522433 |
| 5000+： | ￥0.484647 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥3.06