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SIRA52DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRA52DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.691 16.69
10 14.950876 149.51
100 11.652923 1165.29
500 9.626328 4813.16
1000 7.599732 7599.73

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 1.7 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.4 V

栅极电荷 150 nC

耗散功率 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

上升时间 9 ns

典型关闭延迟时间 38 ns

典型接通延迟时间 10 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRA52DP-T1-GE3

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型号:SIRA52DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥16.691
10+: ¥14.950876
100+: ¥11.652923
500+: ¥9.626328
1000+: ¥7.599732

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