货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.418369 | ¥4255.11 |
6000 | ¥1.326925 | ¥7961.55 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E160AD
单位重量 5.577 g
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0RQ3E160ADTB
型号:RQ3E160ADTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.418369 |
6000+: | ¥1.326925 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00