
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.361415 | ¥18.36 |
| 10 | ¥15.434147 | ¥154.34 |
| 100 | ¥12.487522 | ¥1248.75 |
| 500 | ¥11.100033 | ¥5550.02 |
| 1000 | ¥9.50435 | ¥9504.35 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 223 A
漏源电阻 2.21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 178 nC
耗散功率 246 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP027N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP027N08B-F102
型号:FDP027N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.361415 |
| 10+: | ¥15.434147 |
| 100+: | ¥12.487522 |
| 500+: | ¥11.100033 |
| 1000+: | ¥9.50435 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.36