
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.569787 | ¥9.57 |
| 10 | ¥8.596403 | ¥85.96 |
| 100 | ¥6.909933 | ¥690.99 |
| 500 | ¥5.677235 | ¥2838.62 |
| 1000 | ¥4.704016 | ¥4704.02 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 1.9 S
上升时间 64 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
高度 3.37 mm
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 894.062 mg
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0IRLD120PBF
型号:IRLD120PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.569787 |
| 10+: | ¥8.596403 |
| 100+: | ¥6.909933 |
| 500+: | ¥5.677235 |
| 1000+: | ¥4.704016 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.57