MBT6429DW1T1G
库存 ：2993
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.353441 | ￥0.35 |
| 100 | ￥0.327305 | ￥32.73 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 55 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 700 MHz
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 500
技术 Si
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 28 mg
MBT6429DW1T1G 同类别型号
注
MBT6429DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、MBT6429DW1T1G
数据手册PDF。
MBT6429DW1T1G
型号：MBT6429DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2993 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.353441 |
| 100+： | ￥0.327305 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.35