
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥44.418168 | ¥44.42 |
| 10 | ¥37.360785 | ¥373.61 |
| 100 | ¥30.218284 | ¥3021.83 |
| 500 | ¥26.861073 | ¥13430.54 |
| 1000 | ¥22.999788 | ¥22999.79 |
| 2000 | ¥21.656875 | ¥43313.75 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 130 S
上升时间 48 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC010N04LSI SP000953210
单位重量 119.150 mg
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0BSC010N04LSIATMA1
型号:BSC010N04LSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥44.418168 |
| 10+: | ¥37.360785 |
| 100+: | ¥30.218284 |
| 500+: | ¥26.861073 |
| 1000+: | ¥22.999788 |
| 2000+: | ¥21.656875 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥44.42