DMG1012T-7
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- 制造商编号：
- DMG1012T-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.28322 | ￥849.66 |
| 6000 | ￥0.256893 | ￥1541.36 |
| 9000 | ￥0.24332 | ￥2189.88 |
| 15000 | ￥0.227915 | ￥3418.72 |
| 21000 | ￥0.218761 | ￥4593.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
DMG1012T-7 同类别型号
注
DMG1012T-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMG1012T-7
数据手册PDF
。
DMG1012T-7
型号：DMG1012T-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.28322 |
| 6000+： | ￥0.256893 |
| 9000+： | ￥0.24332 |
| 15000+： | ￥0.227915 |
| 21000+： | ￥0.218761 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00