
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.700928 | ¥25.70 |
| 10 | ¥16.30785 | ¥163.08 |
| 100 | ¥10.932073 | ¥1093.21 |
| 500 | ¥8.626334 | ¥4313.17 |
| 1000 | ¥7.884525 | ¥7884.52 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR3105TRPBF SP001578856
单位重量 330 mg
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0IRLR3105TRPBF
型号:IRLR3105TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.700928 |
| 10+: | ¥16.30785 |
| 100+: | ¥10.932073 |
| 500+: | ¥8.626334 |
| 1000+: | ¥7.884525 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.70