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DMG1012T-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG1012T-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
渠道:
digikey

库存 :414146

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 3.864976 3.86
10 2.693016 26.93
100 1.312844 131.28
500 1.09516 547.58
1000 0.761027 761.03

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 400 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 736.6 pC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12.3 ns

上升时间 7.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.7 ns

典型接通延迟时间 5.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

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DMG1012T-7

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型号:DMG1012T-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:414146 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥3.864976
10+: ¥2.693016
100+: ¥1.312844
500+: ¥1.09516
1000+: ¥0.761027

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