
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.953147 | ¥4.95 |
| 10 | ¥4.280935 | ¥42.81 |
| 100 | ¥2.965403 | ¥296.54 |
| 500 | ¥2.477753 | ¥1238.88 |
| 1000 | ¥2.108744 | ¥2108.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0VN10LP
型号:VN10LP
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.953147 |
| 10+: | ¥4.280935 |
| 100+: | ¥2.965403 |
| 500+: | ¥2.477753 |
| 1000+: | ¥2.108744 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.95