
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.466923 | ¥9.47 |
| 10 | ¥7.748852 | ¥77.49 |
| 100 | ¥6.027859 | ¥602.79 |
| 500 | ¥5.109568 | ¥2554.78 |
| 1000 | ¥4.162291 | ¥4162.29 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 540 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.4 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
高度 3.37 mm
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.821 g
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0IRFD110PBF
型号:IRFD110PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.466923 |
| 10+: | ¥7.748852 |
| 100+: | ¥6.027859 |
| 500+: | ¥5.109568 |
| 1000+: | ¥4.162291 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.47