BC856BDW1T3G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.203189 | ￥2031.89 |
| 30000 | ￥0.199582 | ￥5987.46 |
| 50000 | ￥0.179306 | ￥8965.30 |
| 100000 | ￥0.158957 | ￥15895.70 |
| 250000 | ￥0.15535 | ￥38837.50 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 0.1 A
直流集电极 220
直流电流增益（Max） 475
技术 Si
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 28 mg
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注
BC856BDW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、BC856BDW1T3G
数据手册PDF。
BC856BDW1T3G
型号：BC856BDW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.203189 |
| 30000+： | ￥0.199582 |
| 50000+： | ￥0.179306 |
| 100000+： | ￥0.158957 |
| 250000+： | ￥0.15535 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00