TPN1110ENH,L1Q
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TPN1110ENH,L1Q
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.667376 | ￥22.67 |
| 10 | ￥20.315634 | ￥203.16 |
| 100 | ￥15.84308 | ￥1584.31 |
| 500 | ￥13.087293 | ￥6543.65 |
| 1000 | ￥10.332075 | ￥10332.07 |
| 2000 | ￥9.643268 | ￥19286.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 96 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 4.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
TPN1110ENH,L1Q 同类别型号
注
TPN1110ENH,L1Q品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TPN1110ENH,L1Q
数据手册PDF
。
TPN1110ENH,L1Q
型号：TPN1110ENH,L1Q
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.667376 |
| 10+： | ￥20.315634 |
| 100+： | ￥15.84308 |
| 500+： | ￥13.087293 |
| 1000+： | ￥10.332075 |
| 2000+： | ￥9.643268 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.67