
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.178715 | ¥4.18 |
| 10 | ¥3.29654 | ¥32.97 |
| 100 | ¥1.976376 | ¥197.64 |
| 500 | ¥1.829658 | ¥914.83 |
| 1000 | ¥1.288437 | ¥1288.44 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 6.4 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.4 ns
上升时间 17.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40.7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM650P02CX
单位重量 8 mg
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0TSM650P02CX RFG
型号:TSM650P02CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.178715 |
| 10+: | ¥3.29654 |
| 100+: | ¥1.976376 |
| 500+: | ¥1.829658 |
| 1000+: | ¥1.288437 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.18