货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥48.843149 | ¥48.84 |
10 | ¥43.846408 | ¥438.46 |
100 | ¥35.920326 | ¥3592.03 |
500 | ¥30.578808 | ¥15289.40 |
1000 | ¥25.789307 | ¥25789.31 |
2000 | ¥24.499898 | ¥48999.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 89 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC014N06NST SP001657072
单位重量 104.400 mg
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0BSC014N06NSTATMA1
型号:BSC014N06NSTATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥48.843149 |
10+: | ¥43.846408 |
100+: | ¥35.920326 |
500+: | ¥30.578808 |
1000+: | ¥25.789307 |
2000+: | ¥24.499898 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥48.84