SIR626LDP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR626LDP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：61
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.32005 | ￥23.32 |
| 10 | ￥20.928858 | ￥209.29 |
| 100 | ￥16.817663 | ￥1681.77 |
| 500 | ￥13.817308 | ￥6908.65 |
| 1000 | ￥11.448725 | ￥11448.73 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 186 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 140 S
上升时间 64 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIR626LDP-T1-RE3 同类别型号
注
SIR626LDP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIR626LDP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIR626LDP-T1-RE3
型号：SIR626LDP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：61 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.32005 |
| 10+： | ￥20.928858 |
| 100+： | ￥16.817663 |
| 500+： | ￥13.817308 |
| 1000+： | ￥11.448725 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.32