货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.000847 | ¥39.00 |
10 | ¥35.003564 | ¥350.04 |
100 | ¥28.683239 | ¥2868.32 |
500 | ¥24.417204 | ¥12208.60 |
1000 | ¥20.592811 | ¥20592.81 |
2000 | ¥19.563238 | ¥39126.48 |
5000 | ¥18.82769 | ¥94138.45 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP25N50E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP25N50E-GE3
型号:SIHP25N50E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.000847 |
10+: | ¥35.003564 |
100+: | ¥28.683239 |
500+: | ¥24.417204 |
1000+: | ¥20.592811 |
2000+: | ¥19.563238 |
5000+: | ¥18.82769 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.00