货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.054737 | ¥5.05 |
10 | ¥4.925129 | ¥49.25 |
30 | ¥4.838723 | ¥145.16 |
100 | ¥4.536302 | ¥453.63 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8817DB-T2-E1
型号:SI8817DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.054737 |
10+: | ¥4.925129 |
30+: | ¥4.838723 |
100+: | ¥4.536302 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.05