STP265N6F6AG
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- 制造商编号：
- STP265N6F6AG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 180A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：696
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.776382 | ￥43.78 |
| 10 | ￥39.342074 | ￥393.42 |
| 25 | ￥37.197174 | ￥929.93 |
| 100 | ￥29.759438 | ￥2975.94 |
| 250 | ￥28.106421 | ￥7026.61 |
| 500 | ￥26.452834 | ￥13226.42 |
| 1000 | ￥22.650239 | ￥22650.24 |
| 2500 | ￥22.319579 | ￥55798.95 |
| 5000 | ￥20.335617 | ￥101678.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP265N6F6AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.85mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
183nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP265N6F6AG 同类别型号
注
STP265N6F6AG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STP265N6F6AG
数据手册PDF。
STP265N6F6AG
型号：STP265N6F6AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：696 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.776382 |
| 10+： | ￥39.342074 |
| 25+： | ￥37.197174 |
| 100+： | ￥29.759438 |
| 250+： | ￥28.106421 |
| 500+： | ￥26.452834 |
| 1000+： | ￥22.650239 |
| 2500+： | ￥22.319579 |
| 5000+： | ￥20.335617 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.78