SI8817DB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8817DB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：8356
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.795638 | ￥5.80 |
| 10 | ￥5.647031 | ￥56.47 |
| 30 | ￥5.547961 | ￥166.44 |
| 100 | ￥5.201214 | ￥520.12 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
SI8817DB-T2-E1 同类别型号
注
SI8817DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI8817DB-T2-E1
数据手册PDF。
SI8817DB-T2-E1
型号：SI8817DB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：8356 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.795638 |
| 10+： | ￥5.647031 |
| 30+： | ￥5.547961 |
| 100+： | ￥5.201214 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.80