
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.351707 | ¥1055.12 |
| 6000 | ¥0.305833 | ¥1835.00 |
| 15000 | ¥0.259958 | ¥3899.37 |
| 30000 | ¥0.244667 | ¥7340.01 |
| 75000 | ¥0.229375 | ¥17203.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1E002SP
单位重量 6 mg
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0RU1E002SPTCL
型号:RU1E002SPTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.351707 |
| 6000+: | ¥0.305833 |
| 15000+: | ¥0.259958 |
| 30000+: | ¥0.244667 |
| 75000+: | ¥0.229375 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00