货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.639244 | ¥14.64 |
10 | ¥12.009144 | ¥120.09 |
100 | ¥9.344305 | ¥934.43 |
500 | ¥7.92008 | ¥3960.04 |
1000 | ¥6.45169 | ¥6451.69 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJ479EP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
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0SQJ479EP-T1_GE3
型号:SQJ479EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.639244 |
10+: | ¥12.009144 |
100+: | ¥9.344305 |
500+: | ¥7.92008 |
1000+: | ¥6.45169 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.64