
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.003162 | ¥25.00 |
| 10 | ¥15.880796 | ¥158.81 |
| 100 | ¥10.619525 | ¥1061.95 |
| 500 | ¥8.36318 | ¥4181.59 |
| 1000 | ¥7.636875 | ¥7636.88 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.8 ns
上升时间 12.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 8.5 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 43.700 mg
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0CSD16406Q3
型号:CSD16406Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.003162 |
| 10+: | ¥15.880796 |
| 100+: | ¥10.619525 |
| 500+: | ¥8.36318 |
| 1000+: | ¥7.636875 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.00