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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 61.5 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIRA62DP-T1-RE3
型号:SIRA62DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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